大功率应用向宽禁带半导体器件发展
随着终端应用电子架构复杂程度提升，硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求，具备热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点的碳化硅（SiC）器件作为功率器件材料端的技术迭代产品出现，应用于新能源汽车、光伏等领域，在电力电子设备中实现对电能的高效管理。以逆变器为例，碳化硅模块代替硅基 IGBT 后，逆变器输出功率可增至硅基系统的2.5倍，体积缩小 1.5 倍，功率密度为原有 3.6 倍，最终实现系统成本整体降低。
全球格局渐稳，新能源触发新一轮变革